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    • 专利摘要:
    一種LED驅動晶片之整合裝置，係包含一絕緣基板；設於絕緣基板一面上之驅動晶片；一設於絕緣基板一面上且與驅動晶片電性連接之電源單元；以及多數設於絕緣基板另面上且與驅動晶片電性連接之LED晶片。藉此，可將驅動晶片、電源單元及多數LED晶片整合於同一絕緣基板上，而達到易於製作、防止突波、防止雷擊、降低電磁干擾、具有較佳之散熱能力以及防止LED晶片有熱衰竭現象。
    公开号:TW201307737A
    申请号:TW100127714
    申请日:2011-08-04
    公开日:2013-02-16
    发明作者:Yang-Kuao Kuo；Chin-Peng Wang；Li-Hwang Lu
    申请人:Chung Shan Inst Of Science；
    IPC主号:F21V29-00
    专利说明:
    LED驅動晶片之整合裝置
    本發明是有關於一種LED驅動晶片之整合裝置，尤指一種可將驅動晶片、電源單元及多數LED晶片整合於同一絕緣基板上，而達到易於製作、防止突波、防止雷擊、降低電磁干擾、具有較佳之散熱能力以及防止LED晶片有熱衰竭現象者。
    按，隨著全球環保的意識抬頭，節能省電已成為當今的趨勢，其中LED產業是近年來最受矚目的產業之一，且發展至今，LED產品已具有節能、省電、高效率、反應時間快、壽命週期長、不含汞及具有環保效益…等優點。
    而以目前高電壓驅動IC散熱基板開發而言，該高亮度LED封裝後之發光晶片通常將設計與驅動IC模組分開，LED晶片與封裝為同一模組，驅動IC為單獨一個模組，傳統的設計與製造方式驅動IC必須模組化，使得製造成本大增且熱散性能不佳。
    再者一般之LED高功率產品輸入功率約為20%能轉換成光，剩下80%的電能均轉換為熱能，所以在現階段的整個系統之散熱瓶頸，且多數發生在將熱量從LED傳導至其基板再到系統電路板為主。
    然而該LED照明系統通常被要求高亮度、高壽命、高穩定度，現階段所有LED規範大都以路燈為基準，其基準大部分要求3萬小時其光衰小於20%，但是現階段許多LED路燈測試在未達3萬小時LED燈泡就熄滅，經統計其中三分之一原因來自驅動IC的不穩定，而造成驅動IC不穩定最主要原因來自Power IC所產生的熱能無法順利排出。
    因此，本案之發明人特潛心研究，開發出一種LED驅動晶片之整合裝置，以改善目前習用之種種缺失。
    本發明之主要目的係在於，可將驅動晶片、電源單元及多數LED晶片整合於同一絕緣基板上，而達到易於製作、防止突波、防止雷擊、降低電磁干擾、具有較佳之散熱能力以及防止LED晶片有熱衰竭現象。
    為達上述之目的，本發明係一種LED驅動晶片之整合裝置其一之技術手段係包含有：一絕緣基板；驅動晶片，係設於絕緣基板之一面上；一電源單元，係設於絕緣基板之一面上且與驅動晶片電性連接；以及多數LED晶片，係設於絕緣基板之另面上且與驅動晶片電性連接。
    於上述之實施例中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    於上述之實施例中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有散熱鰭片組。
    於上述之實施例中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    於上述之實施例中，該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    於上述之實施例中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
    本發明LED驅動晶片之整合裝置其二之技術手段係包含有：一絕緣基板；一電源單元，係設於絕緣基板之一面上；以及多數LED晶片，係設於絕緣基板之另面上且與電源單元電性連接。
    於上述之實施例中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    於上述之實施例中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有驅動晶片及散熱鰭片組，而該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    於上述之實施例中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    於上述之實施例中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
    本發明LED驅動晶片之整合裝置其三之技術手段係包含有：一絕緣基板；以及一電源單元，係設於絕緣基板之一面上。
    於上述之實施例中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    於上述之實施例中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有驅動晶片及散熱鰭片組，而絕緣基板之另面上係設有多數與電源單元電性連接之LED晶片，且該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    於上述之實施例中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    於上述之實施例中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
    請參閱『第1、2及第3圖』所示，係分別為本發明第一實施例之外觀示意圖、本發明第一實施例之分解示意圖及本發明第一實施例之使用狀態示意圖。如圖所示：本發明係一種LED驅動晶片之整合裝置，其至少包含有一絕緣基板1、驅動晶片2、一電源單元3以及多數LED晶片4所構成。
    上述所提之絕緣基板1係可為氮化鋁基板，且該絕緣基板1之一面上更可進一步設置有散熱鰭片組11，而該散熱鰭片組11係可為銅、鋁之材質。
    該驅動晶片2係設於絕緣基板1之一面上。
    該電源單元3係設於絕緣基板1之一面上且與驅動晶片2電性連接。
    各LED晶片4係設於絕緣基板1之另面上且與驅動晶片2電性連接，而各LED晶片4係為高亮度LED晶片，且該絕緣基板1係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層12，使驅動晶片2與各LED晶片4利用電路佈局層12進行電性連接；如此，可將驅動晶片2、電源單元3及多數LED晶片4整合於同一絕緣基板1上，而達到易於製作之功效。
    當使用時，係可將驅動晶片2、電源單元3及各LED晶片4整合於同一絕緣基板1上之後，再設置於一所需之殼座5中，並由驅動晶片2與電源單元3之相互配合，使各LED晶片4發出所需之照明光源，且當各LED晶片4於運作過程中發出熱源時，係可由該絕緣基板1以及散熱鰭片組11吸收相關之熱源後由大氣環境吸收進行散逸，而不會有積熱之現象發生藉以達到熱散之效果，進而可防止各LED晶片4有熱衰竭現象，此外，本發明將驅動晶片2、電源單元3及多數LED晶片4整合於同一絕緣基板1上，因此，於使用時可同時達到防止突波、防止雷擊、降低電磁干擾之功效。
    請參閱『第4圖』所示，係本發明第二實施例之外觀示意圖。如圖所示：本發明除上述第一實施例所提結構型態之外，亦可為本第二實施例之結構型態，而其所不同之處係在於，該絕緣基板1之一面上係可設有一電源單元3，且該於絕緣基板1之另面上係設有多數與電源單元3電性連接之LED晶片4，而使該驅動晶片可於後續製程中以矽穿孔技術(TSV)與各LED晶片4進行電性連接；藉以使本發明能更符合實際使用時之所需。
    請參閱『第5圖』所示，係本發明第三實施例之外觀示意圖。如圖所示：本發明除上述第一及第二實施例所提結構型態之外，亦可為本第三實施例之結構型態，而其所不同之處係在於，該絕緣基板1之一面上係可設有一電源單元3，而使該驅動晶片、電源單元及多數LED晶片可於後續製程中以矽穿孔技術(TSV)與電源單元3進行電性連接；藉以使本發明能更符合實際使用時之所需。
    綜上所述，本發明LED驅動晶片之整合裝置可有效改善習用之種種缺點，可將驅動晶片、電源單元及多數LED晶片整合於同一絕緣基板上，而達到易於製作、防止突波、防止雷擊、降低電磁干擾、具有較佳之散熱能力以及防止LED晶片有熱衰竭現象；進而使本發明之產生能更進步、更實用、更符合消費者使用之所須，確已符合發明專利申請之要件，爰依法提出專利申請。
    惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍；故，凡依本發明申請專利範圍及發明說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆應仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
    1．．．絕緣基板
    11．．．散熱鰭片組
    12．．．電路佈局層
    2．．．驅動晶片
    3．．．電源單元
    4．．．LED晶片
    5．．．殼座
    第1圖，係本發明第一實施例之外觀示意圖。
    第2圖，係本發明第一實施例之分解示意圖。
    第3圖，係本發明第一實施例之使用狀態示意圖。
    第4圖，係本發明第二實施例之外觀示意圖。
    第5圖，係本發明第三實施例之外觀示意圖。
    1．．．絕緣基板
    11．．．散熱鰭片組
    12．．．電路佈局層
    2．．．驅動晶片
    3．．．電源單元
    4．．．LED晶片
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種LED驅動晶片之整合裝置，包括有：一絕緣基板；驅動晶片，係設於絕緣基板之一面上；一電源單元，係設於絕緣基板之一面上且與驅動晶片電性連接；以及多數LED晶片，係設於絕緣基板之另面上且與驅動晶片電性連接。
    [2] 依申請專利範圍第1項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    [3] 依申請專利範圍第1項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有散熱鰭片組。
    [4] 依申請專利範圍第3項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    [5] 依申請專利範圍第1項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    [6] 依申請專利範圍第1項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
    [7] 一種LED驅動晶片之整合裝置，包括有：一絕緣基板；一電源單元，係設於絕緣基板之一面上；以及多數LED晶片，係設於絕緣基板之另面上且與電源單元電性連接。
    [8] 依申請專利範圍第7項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    [9] 依申請專利範圍第7項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有驅動晶片及散熱鰭片組，而該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    [10] 依申請專利範圍第9項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    [11] 依申請專利範圍第7項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
    [12] 一種LED驅動晶片之整合裝置，包括有：一絕緣基板；以及一電源單元，係設於絕緣基板之一面上。
    [13] 依申請專利範圍第12項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板係可為氮化鋁基板。
    [14] 依申請專利範圍第12項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該絕緣基板之一面上更可進一步設置有驅動晶片及散熱鰭片組，而絕緣基板之另面上係設有多數與電源單元電性連接之LED晶片，且該絕緣基板係以矽穿孔技術(TSV)設有電路佈局層，使驅動晶片與各LED晶片利用電路佈局層進行電性連接。
    [15] 依申請專利範圍第14項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，該散熱鰭片組係可為銅、鋁之材質。
    [16] 依申請專利範圍第14項所述之LED驅動晶片之整合裝置，其中，各LED晶片係為高亮度LED晶片。
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